中国又一家芯片牛企硬核出世 氮化镓王者崛起！氮化镓作为第三代半导体材料的代表热点话题，被誉为“半导体游戏规则的改变者”。2015年，前NASA科学家骆薇薇回国创业，如今她已成为全球氮化镓芯片领域的领军人物。

　　 AI的发展带来了用电挑战与变革。英伟达决定将数据中心电力系统从54V直流架构升级到800V高压直流架构，以满足日益增长的AI算力需求。2023年8月，英伟达公布了合作伙伴名录，其中最年轻的入选企业是中国的英诺赛科。英诺赛科在官网表示，其第三代氮化镓GaN芯片具备高频、高效率与高功率密度等特性，能够为英伟达800VDC架构提供全链路氮化镓电源解决方案。

　　 氮化镓芯片具有高功率、低能耗和体积小的特点，适用于AI时代的数据中心热点话题。成立于2015年的英诺赛科目前在全球氮化镓功率半导体市场份额排名第一，市占率达42.4%。公司创始人骆薇薇曾在NASA工作15年，从项目经理做到首席科学家。2014年，美国纳微半导体成为全球首个推出氮化镓功率芯片的公司，骆薇薇认为这是中国实现芯片赶超的机会，于是决定回国创业。

　　 2015年12月，骆薇薇在珠海高新区成立了英诺赛科，注册资本10亿人民币。尽管面临研发难、融资难和建厂难等问题，但她依然充满信心。骆薇薇选择了IDM全产业链模式，设计、制造、销售都掌握在自己手中，解决了氮化镓芯片大规模推广的价格、量产和供应链保障问题。公司还决定直接制造领先业界的8英寸晶圆，这比6英寸晶圆能多产出80%的晶粒，降低成本30%。中国又一家芯片牛企硬核出世 氮化镓王者崛起 中国又一家芯片牛企硬核出世 氮化镓王者崛起